A系列部分耗盡硅面壘型輻射探測(cè)器

產(chǎn)品型號(hào)：
廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間：2025-07-25
訪(fǎng) 問(wèn) 量：19

簡(jiǎn)要描述：主要應(yīng)用高分辨率帶電粒子譜測(cè)量

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產(chǎn)品詳情

主要應(yīng)用
高分辨率帶電粒子譜測(cè)量。

特殊配置
特殊配置的帶電粒子探測(cè)器可應(yīng)特殊要求提供。

資料 +
- A系列宣傳冊(cè)
- A系列宣傳冊(cè)（A4）

安裝布局 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”；即硅晶片在其環(huán)上，沒(méi)有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。

B 背面的Microdot連接器。

C 背面的BNC連接器。

尺寸以毫米為單位。

對(duì)于1500或2000 mm深的探測(cè)器，在Y尺寸上增加1.5 mm。

探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱(chēng))	A型		B型后Microdot			C型后BNC
探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱(chēng))	X	Y	X	Y	Z	X	Y	Z
025	5.6	15.2	3.7	16.7	12.3	7.1	16.7	12.3	15.9
050	8.0	15.2	3.7	16.7	12.3	7.1	16.7	12.3	15.9
100	11.3	22.0	3.7	23.6	12.3	7.1	23.6	12.3	15.9
150	13.8	22.0	3.7	23.6	12.3	7.1	23.6	12.3	15.9
300	19.5	27.1	3.7	28.6	12.3	7.1	28.6	12.3	15.9
450	23.9	30.5	3.7	32.0	12.3	7.1	32.0	12.3	15.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

訂購(gòu)信息 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座

除非另有說(shuō)明，否則提供B安裝座。

**型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)時(shí)，²⁴¹Am，5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。

§需要特殊訂單。

注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買(mǎi)新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過(guò)特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。

有效面積 (mm²)	保證分辨率* (keV)		最小耗盡深度 1000 µm
有效面積 (mm²)	α	β	型號(hào).
25	13 14	6 6	A-013-025-1000 A-014-025-1000
50	14 15	7 8	A-014-050-1000 A-015-050-1000
100	14 15	7 8	A- A-
150	15 16	9 10	A- A-
300	17 18	13 14	A- A-
450	18 19	13 14	A- A-

有效面積 (mm²)	保證分辨率* (keV)		最小耗盡深度 1500 µm§
有效面積 (mm²)	α	β	型號(hào).
25	14 16	9 11	A-014-025-1500 A-016-025-1500
50	16 18	11 13	A-016-050-1500 A-018-050-1500
100	17 19	12 14	A- A-
150	18 20	13 15	A- A-
300	20 23	15 18	A- A-
450	21 26	16 21	A- A-

有效面積 (mm²)	保證分辨率* (keV)		最小耗盡深度 2000 µm§
有效面積 (mm²)	α	β	型號(hào).
25	16	11	A-016-025-2000
50	17	12	A-017-050-2000
100	18	13	A-
150	19	14	A-
300	22	17	A-