C系列環(huán)形部分耗盡硅面壘型輻射探測(cè)器

產(chǎn)品型號(hào)：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-07-25
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簡(jiǎn)要描述：主要應(yīng)用從準(zhǔn)直光源或光束目標(biāo)反向散射；角度相關(guān)測(cè)量

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產(chǎn)品詳情

主要應(yīng)用
從準(zhǔn)直光源或光束目標(biāo)反向散射；角度相關(guān)測(cè)量。

資料 +
- C系列宣傳冊(cè)
- C系列宣傳冊(cè)（A4）

安裝布局 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

A 這是一個(gè)“環(huán)形安裝座”；即硅晶片在其環(huán)上，沒有輸出連接器。這種不常使用的布局可應(yīng)特殊要求提供。

T 側(cè)面的Microdot；無可調(diào)螺絲。（向后開口。）

尺寸以毫米為單位。

探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱)	A型		T型透射安裝座
探測(cè)器尺寸 (mm²)	W (標(biāo)稱)	X	Y	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	34.8	7.9	9.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

訂購(gòu)信息 +

訂購(gòu)時(shí)必須指定安裝座。

除非以適當(dāng)?shù)淖帜盖熬Y另行指定，否則提供T安裝座；4毫米孔為標(biāo)準(zhǔn)配置，可為特殊訂單提供6毫米或8毫米孔或其他面積和深度。

**型號(hào)的前三位數(shù)字表示使用標(biāo)準(zhǔn)ORTEC電子設(shè)備和0.5-μs整形時(shí)間常數(shù)時(shí)，²⁴¹Am，5.486-MeV α的總系統(tǒng)分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發(fā)生器寬度FWHM。

注:兼容Alpha套件的探測(cè)器:ENS-系列(購(gòu)買新系統(tǒng)時(shí)含安裝和測(cè)試)、ENS8系列(新系統(tǒng)的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測(cè)器型號(hào)保證與Alpha套件產(chǎn)品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測(cè)器都需要經(jīng)過特殊批準(zhǔn)以保證其兼容性及指標(biāo)規(guī)格。

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		最小耗盡深度100μm	最小耗盡深度300μm	最小耗盡深度500μm
有效面積 (mm²)	α	β	型號(hào)	型號(hào)	型號(hào)
50	17	9	C-017-050-100	C-017-050-300	C-017-050-500
150	19	12	C-019-150-100	C-019-150-300	C-019-150-500
300	21	14	C-021-300-100	C-021-300-300	C-021-300-500
450	25	20	C-025-450-100	C-025-450-300	C-025-450-500

有效面積 (mm²)	保證分辨率（keV**）		最小耗盡深度1000μm
有效面積 (mm²)	α	β	型號(hào)
50	18	10	C-018-050-1000
150	20	12	C-
300	22	15	C-
450	25	20	C-